书目详细信息
： 宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-73693-6:CNY149.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 宽禁带半导体功率器件/.(美)贾扬·巴利加等著/.B. Jayant Baliga/.杨兵译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.01 |
| 载体形态项： | xi, 331页, [17] 页图版:;+图 (部分彩图):;+24cm |
| 丛编项： | 半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 丛编项： | 微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性, 以及功率应用中不同类型的器件结构, 同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造, 以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计, 以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 |
| 题名主题： | 禁带 半导体器件 研究 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 巴利加 著 |
| 个人名称次要： | 杨兵 译 |
| 记录来源： | CN 湖北三新 20240730 |